SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.33 грн |
| 6000+ | 9.97 грн |
| 9000+ | 9.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.
Інші пропозиції SSM6N62TU,LF за ціною від 8.91 грн до 51.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N62TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 |
на замовлення 12922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6N62TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=20V, VGSS=+/-8V, ID=0.8A, RDS(ON)=0.085ohm at 4.5V, in UF6 package |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|