Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N62TU,LF
SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=37065&prodName=SSM6N62TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.94 грн
6000+9.63 грн
9000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6N62TU,LF за ціною від 11.57 грн до 47.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N62TU,LF SSM6N62TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37065&prodName=SSM6N62TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
11+28.28 грн
100+18.13 грн
500+12.90 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LF SSM6N62TU,LF Виробник : Toshiba SSM6N62TU_datasheet_en_20210528-2449170.pdf MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=20V, VGSS=+/-8V, ID=0.8A, RDS(ON)=0.085ohm a. 4.5V, in UF6 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.