Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N62TU,LXHF
SSM6N62TU,LXHF

SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N62TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=37065&prodName=SSM6N62TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+27.51 грн
100+19.09 грн
500+13.99 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6N62TU,LXHF за ціною від 10.45 грн до 37.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N62TU,LXHF Виробник : Toshiba SSM6N62TU_datasheet_en_20210528-2449170.pdf MOSFET SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.08 грн
11+31.30 грн
100+20.30 грн
500+15.96 грн
1000+12.36 грн
3000+11.55 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHF SSM6N62TU,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=37065&prodName=SSM6N62TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.