SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.33 грн |
| 12+ | 26.61 грн |
| 100+ | 18.46 грн |
| 500+ | 13.53 грн |
| 1000+ | 11.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 500mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: UF6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA.
Інші пропозиції SSM6N62TU,LXHF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N62TU,LXHF | Toshiba |
MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20 |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N62TU,LXHF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)