Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N62TU,LXHF
SSM6N62TU,LXHF

SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N62TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=37065&prodName=SSM6N62TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
12+27.10 грн
100+18.80 грн
500+13.78 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6N62TU,LXHF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N62TU,LXHF SSM6N62TU,LXHF Toshiba E4E6D6ACF179CADE60A583B80B9FEA269B38F72D0D00BFE251451208DA6B4223.pdf MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHF E4E6D6ACF179CADE60A583B80B9FEA269B38F72D0D00BFE251451208DA6B4223.pdf
SSM6N62TU,LXHF
Виробник: Toshiba
MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.