
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.33 грн |
13+ | 26.40 грн |
100+ | 13.83 грн |
1000+ | 8.98 грн |
3000+ | 7.95 грн |
9000+ | 7.14 грн |
24000+ | 6.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N68NU,LF Toshiba
Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N68NU,LF за ціною від 28.74 грн до 36.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N68NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
SSM6N68NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2) Part Status: Active |
товару немає в наявності |