Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N68NU,LF
SSM6N68NU,LF

SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.91 грн
11+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N68NU,LF за ціною від 7.69 грн до 45.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Виробник : Toshiba 229669BAE44212D00816559F3A424144DA44B84708A6FAE45F89DE12B562A8B3.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
на замовлення 6663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.06 грн
13+27.25 грн
100+15.16 грн
500+11.50 грн
1000+10.13 грн
3000+8.61 грн
6000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.