| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1887+ | 7.45 грн |
| 1954+ | 7.19 грн |
| 1979+ | 7.10 грн |
| 2011+ | 6.74 грн |
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Технічний опис SSM6N7002BFE,LM(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SSM6N7002BFE,LM(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SSM6N7002BFE,LM(T | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N7002BFE,LM(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
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Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)