Продукція > TOSHIBA > SSM6N7002BFE,LM
SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM Toshiba

205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+14.67 грн
79+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N7002BFE,LM Toshiba

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N7002BFE,LM за ціною від 2.16 грн до 18.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.39 грн
30+10.95 грн
100+6.83 грн
500+4.71 грн
1000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba D54EA774E98521630ADA5D3589EDEFD5DCAC604E46E4561AA66EFFD64D5ADD85.pdf MOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.57 грн
37+9.86 грн
100+4.87 грн
500+3.79 грн
1000+3.40 грн
2000+3.09 грн
4000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba 205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba 205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.