SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.18 грн |
| 8000+ | 2.76 грн |
| 12000+ | 2.60 грн |
| 20000+ | 2.28 грн |
| 28000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N7002BFE,LM за ціною від 3.32 грн до 16.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 33292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba |
MOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6N7002BFE,LM |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 15.54 грн |
| 79+ | 9.60 грн |
| SSM6N7002BFE,LM |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.93 грн |
| 31+ | 9.86 грн |
| 100+ | 6.14 грн |
| 500+ | 4.23 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| 2000+ | 3.32 грн |
| SSM6N7002BFE,LM |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
MOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)