на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33000+ | 1.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N7002CFU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6N7002CFU,LF(T за ціною від 1.83 грн до 12.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SC88 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Gate charge: 0.27nC On-state resistance: 4.7Ω Power dissipation: 285mW Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SSM6N7002CFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.17A; 285mW; SC88; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Case: SC88 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Gate charge: 0.27nC On-state resistance: 4.7Ω Power dissipation: 285mW Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |