SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=29875&prodName=SSM6N7002CFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N7002CFU,LF за ціною від 3.25 грн до 14.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N7002CFU,LF SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29875&prodName=SSM6N7002CFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
35+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF SSM6N7002CFU,LF Toshiba 94B3A305BF23A073581EAE6DB6F0689D68C28C76B290DDD4A5B58203EA600CE6.pdf MOSFETs Small-Signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 141701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF docget.jsp?did=29875&prodName=SSM6N7002CFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
35+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF 94B3A305BF23A073581EAE6DB6F0689D68C28C76B290DDD4A5B58203EA600CE6.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small-Signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 141701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.