Продукція > TOSHIBA > SSM6N7002KFU,LF(T
SSM6N7002KFU,LF(T

SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.02 грн
1000+2.20 грн
5000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6N7002KFU,LF(T за ціною від 1.90 грн до 14.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB81D090E7778BF&compId=SSM6N7002KFU.pdf?ci_sign=f79f2268cee39eb4714eb1bf5b864000c5dab263 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.40 грн
71+5.62 грн
101+3.94 грн
250+3.46 грн
500+2.70 грн
1000+2.48 грн
1500+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB81D090E7778BF&compId=SSM6N7002KFU.pdf?ci_sign=f79f2268cee39eb4714eb1bf5b864000c5dab263 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.39nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.28 грн
50+7.00 грн
100+4.72 грн
250+4.15 грн
500+3.24 грн
1000+2.97 грн
1500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+14.19 грн
112+7.69 грн
223+3.85 грн
500+3.02 грн
1000+2.20 грн
5000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(T SSM6N7002KFU,LF(T Виробник : Toshiba ssm6n7002kfu_datasheet_en_20191209.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.