
SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.91 грн |
1000+ | 2.12 грн |
5000+ | 1.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6N7002KFU,LF(T за ціною від 1.83 грн до 13.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 19779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |