Продукція > TOSHIBA > SSM6N813R,LXHF(T
SSM6N813R,LXHF(T

SSM6N813R,LXHF(T TOSHIBA


4163383.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.42 грн
500+22.00 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N813R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP-F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6N813R,LXHF(T за ціною від 19.68 грн до 51.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N813R,LXHF(T SSM6N813R,LXHF(T Виробник : TOSHIBA 4163383.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.12 грн
24+34.84 грн
100+24.42 грн
500+22.00 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.