Продукція > TOSHIBA > SSM6N813R,LXHF
SSM6N813R,LXHF

SSM6N813R,LXHF Toshiba


SSM6N813R_datasheet_en_20210603-2307031.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 5804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.48 грн
10+51.78 грн
100+34.58 грн
500+27.29 грн
1000+21.85 грн
3000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N813R,LXHF Toshiba

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM6N813R,LXHF за ціною від 21.85 грн до 83.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N813R,LXHF SSM6N813R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+50.35 грн
100+33.08 грн
500+24.09 грн
1000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF SSM6N813R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.