Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N813R,LXHF
SSM6N813R,LXHF

SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM6N813R,LXHF за ціною від 19.93 грн до 76.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6N813R,LXHF SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+45.96 грн
100+30.19 грн
500+21.98 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF SSM6N813R,LXHF Toshiba 4242314635454141344430313534313430443634334136413838413744423842.pdf MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF docget.jsp?did=60723&prodName=SSM6N813R
SSM6N813R,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.20 грн
10+45.96 грн
100+30.19 грн
500+21.98 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF 4242314635454141344430313534313430443634334136413838413744423842.pdf
SSM6N813R,LXHF
Виробник: Toshiba
MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.