Інші пропозиції SSM6N815R,LF за ціною від 7.34 грн до 48.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N815R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 6-TSOP-F Part Status: Active |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6N815R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: 6-TSOP-F Part Status: Active |
на замовлення 39337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6N815R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V |
на замовлення 56990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|