Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R_datasheet_en_20170829.pdf?did=58964&prodName=SSM6N815R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.26 грн
6000+10.80 грн
9000+10.29 грн
15000+9.11 грн
21000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N815R,LF за ціною від 9.78 грн до 53.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6N815R,LF SSM6N815R,LF Виробник : Toshiba SSM6N815R_datasheet_en_20170829-1289328.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
на замовлення 53202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.34 грн
11+32.60 грн
100+18.72 грн
500+14.17 грн
1000+12.73 грн
3000+10.69 грн
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LF SSM6N815R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R_datasheet_en_20170829.pdf?did=58964&prodName=SSM6N815R Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 23103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.30 грн
11+31.50 грн
100+20.22 грн
500+14.42 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LF
Код товару: 149006
Додати до обраних Обраний товар

SSM6N815R_datasheet_en_20170829.pdf?did=58964&prodName=SSM6N815R Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.