на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.73 грн |
| 10+ | 72.52 грн |
| 100+ | 42.30 грн |
| 500+ | 32.97 грн |
| 1000+ | 29.26 грн |
| 2500+ | 27.67 грн |
| 5000+ | 24.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N951L,EFF Toshiba
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V, Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67), Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6N951L,EFF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N951L,EFF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
|
|
SSM6N951L,EFF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67) Part Status: Active |
товару немає в наявності |