Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P15FE(TE85L,F)
SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.49 грн
8000+6.57 грн
12000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F) за ціною від 7.48 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 13902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
15+20.90 грн
100+13.28 грн
500+9.34 грн
1000+8.33 грн
2000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba 00BAE2D57E688081758BC1F1E57538F45ADE6BA9077D5645AD4F8CA91BC801C2.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) TOSHIBA docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 13902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
15+20.90 грн
100+13.28 грн
500+9.34 грн
1000+8.33 грн
2000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) 00BAE2D57E688081758BC1F1E57538F45ADE6BA9077D5645AD4F8CA91BC801C2.pdf
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) docget.jsp?did=22741&prodName=SSM6P15FE
SSM6P15FE(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.