Продукція > TOSHIBA > SSM6P15FE(TE85L,F)
SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F) TOSHIBA


SSM6P15FE_datasheet_en_20220224.pdf?did=22741&prodName=SSM6P15FE Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F) за ціною від 4.56 грн до 26.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE_datasheet_en_20220224.pdf?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.91 грн
8000+5.55 грн
12000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba 00BAE2D57E688081758BC1F1E57538F45ADE6BA9077D5645AD4F8CA91BC801C2.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.94 грн
52+6.73 грн
100+5.39 грн
4000+4.63 грн
8000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA SSM6P15FE_datasheet_en_20220224.pdf?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.96 грн
110+7.77 грн
149+5.74 грн
500+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE_datasheet_en_20220224.pdf?did=22741&prodName=SSM6P15FE Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 13290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.30 грн
22+14.96 грн
100+9.66 грн
500+7.51 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F) SSM6P15FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba 354docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6p15fe.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.