SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.26 грн |
| 14+ | 20.67 грн |
| 100+ | 10.41 грн |
| 500+ | 8.65 грн |
| 1000+ | 6.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F) за ціною від 4.86 грн до 31.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товар відсутній |