SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.69 грн |
| 8000+ | 5.37 грн |
| 12000+ | 5.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F) за ціною від 4.93 грн до 26.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 13290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V |
на замовлення 18008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R |
товару немає в наявності |