
SSM6P15FE(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F) за ціною від 4.56 грн до 26.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 13290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |