SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.00 грн
6000+3.55 грн
9000+3.21 грн
15000+2.96 грн
21000+2.95 грн
30000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 200mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA.

Інші пропозиції SSM6P15FU,LF за ціною від 4.93 грн до 21.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.55 грн
24+12.82 грн
100+8.01 грн
500+5.56 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba BC6C7C463B2B8CC765680784E275AB7C0C6FA57FAB3A40320E4006156E5704B6.pdf MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.55 грн
24+12.82 грн
100+8.01 грн
500+5.56 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF BC6C7C463B2B8CC765680784E275AB7C0C6FA57FAB3A40320E4006156E5704B6.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.