Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P15FU,LF
SSM6P15FU,LF

SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.07 грн
6000+3.62 грн
9000+3.26 грн
15000+3.01 грн
21000+3.00 грн
30000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6P15FU,LF за ціною від 5.02 грн до 21.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba BC6C7C463B2B8CC765680784E275AB7C0C6FA57FAB3A40320E4006156E5704B6.pdf MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
24+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF BC6C7C463B2B8CC765680784E275AB7C0C6FA57FAB3A40320E4006156E5704B6.pdf
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.