SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.48 грн |
| 6000+ | 3.97 грн |
| 9000+ | 3.59 грн |
| 15000+ | 3.24 грн |
| 21000+ | 3.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6P15FU,LF за ціною від 3.16 грн до 23.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P15FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363) |
на замовлення 8311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6P15FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 30462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|