SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.11 грн |
| 6000+ | 3.65 грн |
| 9000+ | 3.29 грн |
| 15000+ | 3.04 грн |
| 21000+ | 3.03 грн |
| 30000+ | 2.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 200mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA.
Інші пропозиції SSM6P15FU,LF за ціною від 3.38 грн до 23.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6P15FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6 Power - Max: 200mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V |
на замовлення 49726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P15FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363) |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|