
SSM6P35AFE,LF Toshiba
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.83 грн |
23+ | 14.81 грн |
100+ | 5.89 грн |
1000+ | 4.86 грн |
4000+ | 4.27 грн |
8000+ | 3.53 грн |
24000+ | 3.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P35AFE,LF Toshiba
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6P35AFE,LF за ціною від 5.10 грн до 24.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6P35AFE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 3564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM6P35AFE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |