SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 23.86 грн |
| 21+ | 14.31 грн |
| 100+ | 8.95 грн |
| 500+ | 6.23 грн |
| 1000+ | 5.53 грн |
| 2000+ | 4.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 150mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SSM6P35AFE,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P35AFE,LF | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A |
на замовлення 5070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6P35AFE,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)