SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 19+ | 15.71 грн |
| 100+ | 9.84 грн |
| 500+ | 6.86 грн |
| 1000+ | 6.09 грн |
| 2000+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6P36FE,LM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P36FE,LM | Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SSM6P36FE,LM |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET
MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)