на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.95 грн |
| 21+ | 16.67 грн |
| 100+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 5.08 грн |
| 8000+ | 3.83 грн |
| 24000+ | 3.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P36FE,LM Toshiba
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6P36FE,LM за ціною від 5.63 грн до 27.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P36FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 2503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SSM6P36FE,LM | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 6-Pin ES T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SSM6P36FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
товару немає в наявності |