Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P36FE,LM
SSM6P36FE,LM

SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.15 грн
19+16.90 грн
100+10.59 грн
500+7.38 грн
1000+6.55 грн
2000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції SSM6P36FE,LM за ціною від 5.13 грн до 28.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Виробник : Toshiba C8E2BB54821BA7EF429C73A48EA89520325E84BED08BA1B16D6F834BD1BF6A18.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.40 грн
21+17.25 грн
100+9.72 грн
500+7.27 грн
1000+6.43 грн
2000+5.89 грн
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM Виробник : Toshiba 288docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6p36fe.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LM SSM6P36FE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=11736&prodName=SSM6P36FE Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.