Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P40TU,LF
SSM6P40TU,LF

SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11195&prodName=SSM6P40TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6, Supplier Device Package: UF6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 500mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SSM6P40TU,LF за ціною від 10.49 грн до 43.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11195&prodName=SSM6P40TU Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.10 грн
12+25.87 грн
100+16.52 грн
500+11.71 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF SSM6P40TU,LF Toshiba 85D68AC7F9BEE06142EA5BF6639BA59B1941F86FF47F921F51669A9F8604A17E.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm at 4V
на замовлення 57311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF docget.jsp?did=11195&prodName=SSM6P40TU
SSM6P40TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.10 грн
12+25.87 грн
100+16.52 грн
500+11.71 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF 85D68AC7F9BEE06142EA5BF6639BA59B1941F86FF47F921F51669A9F8604A17E.pdf
SSM6P40TU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm at 4V
на замовлення 57311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.