SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2).
Інші пропозиції SSM6P49NU,LF за ціною від 7.79 грн до 30.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6P49NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P49NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS |
на замовлення 4253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6P49NU,LF Код товару: 177120 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SSM6P49NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |