Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P69NU,LF
SSM6P69NU,LF

SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.87 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta).

Інші пропозиції SSM6P69NU,LF за ціною від 11.49 грн до 43.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM6P69NU,LF SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.10 грн
11+27.94 грн
100+17.97 грн
500+12.80 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF SSM6P69NU,LF Toshiba 6A8F5CCF040B401F01212BADD5DE7545DBCCDD25712D5A4971599340FA8B7941.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU
SSM6P69NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.10 грн
11+27.94 грн
100+17.97 грн
500+12.80 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF 6A8F5CCF040B401F01212BADD5DE7545DBCCDD25712D5A4971599340FA8B7941.pdf
SSM6P69NU,LF
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.