SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F.
Інші пропозиції SSM6P816R,LF за ціною від 10.52 грн до 56.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P816R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFETs MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F |
на замовлення 10149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6P816R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-TSOP-F |
на замовлення 6743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|