Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB12NK80ZT4

STB12NK80ZT4

en.CD00003379.pdf
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB12NK80ZT4 за ціною від 154.18 грн до 446.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.75 грн
10+256.02 грн
100+184.38 грн
500+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.81 грн
10+311.00 грн
100+252.33 грн
500+207.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 ST en.CD00003379.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.75 грн
10+256.02 грн
100+184.38 грн
500+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB12NK80ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+446.81 грн
10+311.00 грн
100+252.33 грн
500+207.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) чорний
Код товару: 181954
12 Додати до обраних Обраний товар
Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) чорнийСиліконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) чорний
Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) чорнийСиліконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) чорний
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,5 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується: 50000 м
  • 20000 м - очікується 10.07.2026
  • 20000 м - очікується 02.09.2026
  • 10000 м - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+15.50 грн
100+13.88 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 м
В кошику  од. на суму  грн.
Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червоний
Код товару: 181953
12 Додати до обраних Обраний товар
Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червонийСиліконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червоний
Силіконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червонийСиліконовий провід 20AWG (0.5mm²-100/0.08TS) червоний
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,5 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,8мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується: 50000 м
  • 30000 м - очікується 10.07.2026
  • 20000 м - очікується 02.09.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.50 грн
10+15.50 грн
100+13.88 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 м
В кошику  од. на суму  грн.
DF10S
Код товару: 174961
1 Додати до обраних Обраний товар
DF10S-D.PDF DFxxS.pdf
DF10S
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Напруга зворотна Uзвор, V: 1000 V
Струм прямий Iпр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: DB101S, DB102S, DB103S, DB104S, DB105S, DB106S, DB107S, DB101GS, DB102GS, DB103G,S DB104GS, DB105GS, DB106GS, DB107GS, DF005S, DF01S, DF02S, DF04S, DF06S, DF08S
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, A: 30 A
у наявності: 5433 шт
  • 5183 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 115 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 116 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.30 грн
100+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIL-0.50-WHITE (20AWG) провід у силіконовій ізоляції, білий
Код товару: 163226
1 Додати до обраних Обраний товар
SIL-0.50-WHITE (20AWG) провід у силіконовій ізоляції, білий
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід електричний силовий
Переріз, мм²: 0,5 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: білий
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: 600V, зовнішній діаметр: ~1,8mm, робоча температура: -50...200°C.
у наявності: 87 м
  • 87 м - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+25.00 грн
10+22.00 грн
100+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 43109
1 Додати до обраних Обраний товар
3,3 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R3-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 3,3 Ohm
Точність: ±5%
Pном, W: 1 W
Uном, V: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 3050 шт
  • 2890 шт - склад
  • 160 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.50 грн
100+1.30 грн
1000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.