Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB12NK80ZT4

STB12NK80ZT4

en.CD00003379.pdf
Код товару: 131646
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB12NK80ZT4 за ціною від 155.60 грн до 400.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.42 грн
10+258.39 грн
100+186.08 грн
500+172.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.92 грн
10+310.56 грн
25+280.45 грн
100+237.05 грн
250+214.28 грн
500+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 ST en.CD00003379.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 cd0000337.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+205.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.cd00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.cd00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.cd00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+215.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.cd00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+400.42 грн
10+258.39 грн
100+186.08 грн
500+172.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 SGSTS35424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB12NK80ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.cd00003379.pdf
STB12NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+358.92 грн
10+310.56 грн
25+280.45 грн
100+237.05 грн
250+214.28 грн
500+185.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NK80ZT4 en.CD00003379.pdf
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.