| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.92 грн |
| 10+ | 245.27 грн |
| 100+ | 155.43 грн |
| 500+ | 149.85 грн |
| 1000+ | 126.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB12NM50T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB12NM50T4 за ціною від 137.33 грн до 392.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 550V; 12A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 550V Drain current: 12A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STB12NM50-T4 | Виробник : ST |
на замовлення 3574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 12A; 160W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 12A Power dissipation: 160W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC |
товару немає в наявності |