STB12NM50T4 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 149.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB12NM50T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB12NM50T4 за ціною від 129.24 грн до 455.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 550V; 12A; 160W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 550V Drain current: 12A Power dissipation: 160W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC Electrical mounting: SMT |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STB12NM50-T4 | Виробник : ST |
на замовлення 3574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
09+ SPQ 1K P |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |