Продукція > STMICROELECTRONICS > STB12NM50T4
STB12NM50T4

STB12NM50T4 STMICROELECTRONICS

en.CD00002079.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+223.94 грн
500+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB12NM50T4 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STB12NM50T4 за ціною від 150.45 грн до 456.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB12NM50T4 STB12NM50T4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.29 грн
10+294.74 грн
100+223.94 грн
500+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 STB12NM50T4 Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.37 грн
10+300.46 грн
100+201.82 грн
250+198.89 грн
500+174.67 грн
1000+150.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50-T4 Виробник : ST
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 Виробник : ST en.CD00002079.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 Виробник : ST en.CD00002079.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 Виробник : ST en.CD00002079.pdf 09+ SPQ 1K P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 Виробник : ST en.CD00002079.pdf TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 STB12NM50T4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 STB12NM50T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB12NM50T4 STB12NM50T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.