Технічний опис STD10NF10T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD10NF10T4 за ціною від 26.32 грн до 136.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp |
на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD10NF10-T4 |
на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.59 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.12 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 43.00 грн |
| 349+ | 40.64 грн |
| 350+ | 40.52 грн |
| 500+ | 33.94 грн |
| 1000+ | 29.95 грн |
| 2000+ | 28.65 грн |
| 5000+ | 26.32 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.21 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 43.21 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.02 грн |
| 25+ | 48.68 грн |
| 100+ | 46.62 грн |
| 250+ | 42.87 грн |
| 500+ | 40.87 грн |
| 1000+ | 40.59 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 290+ | 49.02 грн |
| 292+ | 48.68 грн |
| 294+ | 48.35 грн |
| 296+ | 46.30 грн |
| 500+ | 42.58 грн |
| 1000+ | 40.59 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.69 грн |
| 10+ | 83.67 грн |
| 50+ | 63.00 грн |
| 100+ | 52.84 грн |
| 500+ | 41.83 грн |
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD10NF10T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)