Інші пропозиції STD10NF10T4 за ціною від 24.02 грн до 150.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SuperMesh™ Version: ESD |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NF10T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD10NF10-T4 |
на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| STD10NF10T4 | Виробник : STM |
N-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |