STD12NF06L-1 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD12NF06L-1 за ціною від 14.58 грн до 80.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
STD12NF06L-1 THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD12NF06L1 | Виробник : ST |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |