STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.32 грн |
| 75+ | 26.40 грн |
| 150+ | 23.42 грн |
| 525+ | 18.00 грн |
| 1050+ | 16.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD12NF06L-1 за ціною від 14.85 грн до 75.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar On-state resistance: 90mΩ Drain current: 12A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 60V Kind of package: tube Case: IPAK |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD12NF06L-1 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD12NF06L-1 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp |
на замовлення 13555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | ST |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD12NF06L1 | ST |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Case: IPAK
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Case: IPAK
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.97 грн |
| 12+ | 36.81 грн |
| 13+ | 32.92 грн |
| 75+ | 25.12 грн |
| 150+ | 22.97 грн |
| 525+ | 19.73 грн |
| 1050+ | 18.32 грн |
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 75.22 грн |
| 26+ | 32.06 грн |
| 100+ | 28.53 грн |
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 13555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD12NF06L-1 |
![]() |
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube STD12NF06L-1 STMicroelectronics TSTD12NF06L-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.85 грн |
| STD12NF06L1 |
Виробник: ST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




