STD25NF10LT4 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD25NF10LT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD25NF10LT4 за ціною від 56.35 грн до 122.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD25NF10L-T4 |
на замовлення 56200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STD25NF10LT4 |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |




