
STD25NF10LT4 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 27.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD25NF10LT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD25NF10LT4 за ціною від 39.00 грн до 203.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 1591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STD25NF10L-T4 |
на замовлення 56200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STD25NF10LT4 |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 Код товару: 57765
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
![]() Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 100 V Idd,A: 25 A Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/38 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
STD25NF10LT4 N-Kanal MOSFET, 100 V / 25 A, 100 W, DPAK (TO-252) Код товару: 177293
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STD25NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |