Продукція > STMICROELECTRONICS > STD60NF06T4
STD60NF06T4

STD60NF06T4 STMicroelectronics

STD60NF06.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.37 грн
5+142.57 грн
10+125.80 грн
50+92.25 грн
100+82.19 грн
500+64.58 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD60NF06T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD60NF06T4 за ціною від 61.25 грн до 206.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.58 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMICROELECTRONICS 2309911.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.46 грн
50+132.49 грн
100+92.66 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.09 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.58 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 2309911.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+206.46 грн
50+132.49 грн
100+92.66 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.