Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD60NF06T4

STD60NF06T4

std60nf06t4.pdf
Код товару: 165661
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD60NF06T4 за ціною від 59.54 грн до 206.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.37 грн
5+142.57 грн
10+125.80 грн
50+92.25 грн
100+82.19 грн
500+64.58 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.58 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMICROELECTRONICS 2309911.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.46 грн
50+132.49 грн
100+92.66 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06T4 STMicroelectronics std60nf06t4.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 STD60NF06.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.37 грн
5+142.57 грн
10+125.80 грн
50+92.25 грн
100+82.19 грн
500+64.58 грн
1000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.09 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.58 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 2309911.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+206.46 грн
50+132.49 грн
100+92.66 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06T4 std60nf06t4.pdf
STD60NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD60NF06-T4
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.