STGB20NB37LZ
Виробник: на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB20NB37LZ
Description: IGBT 425V 40A 200W D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs, Switching Energy: 11.8mJ (off), Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V, Gate Charge: 51 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції STGB20NB37LZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB20NB37LZ | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STGB20NB37LZ | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 425V 40A 200W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs Switching Energy: 11.8mJ (off) Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|
 |
STGB20NB37LZ | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-Channel 20 Amp IGBT |
товару немає в наявності |