Продукція > STG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STG | FACOM | Description: FACOM - STG - Feilen, Holzgriff, 5-teiliger Satz tariffCode: 82031000 productTraceability: No rohsCompliant: NA Lieferumfang des Kits: Feilen PAM.B 300, DRD.MD 250, CAR.MD 200, TRI.MD 200, RD.MD 200 euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG-1456I | Jonard Tools | Description: TriggerTack 1/4 x 5/16 Insulated Packaging: Box For Use With/Related Products: Cable Stapler 450-100 Accessory Type: Staples | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG-14I | Jonard Tools | Description: TriggerTack 1/4 x 1/4 Insulated Packaging: Box For Use With/Related Products: Cable Stapler 450-100 Accessory Type: Staples | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG-56I | Jonard Tools | Screws & Fasteners TriggerTack 5/16" x 5/16" Insulated Cable Staples (300 Pack) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG-V2 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: 350V 2A .20X.54 2AG TD-L Packaging: Bulk Package / Case: 2AG, 5mm x 15mm (Axial) Size / Dimension: 0.244" Dia x 0.709" L (6.20mm x 18.00mm) Fuse Type: Cartridge, Glass Mounting Type: Through Hole Response Time: Slow Blow Approval Agency: CSA, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100A Current Rating (Amps): 2 A Voltage Rating - AC: 350 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG-V2-1/2 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: 350V 2-1/2A .20X.54 2AG TD-L Packaging: Bulk Package / Case: 2AG, 5mm x 15mm (Axial) Size / Dimension: 0.244" Dia x 0.709" L (6.20mm x 18.00mm) Fuse Type: Cartridge, Glass Mounting Type: Through Hole Response Time: Slow Blow Approval Agency: CSA, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100A Current Rating (Amps): 2.5 A Voltage Rating - AC: 350 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009M5CN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG009M5CN= HRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009M5CN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG009M5CN = THRU-HOLE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009M6SN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG009M6SN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009M6SN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG009M6SN = THRU-HOLE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009PC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG009PC2DNC70N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009PC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG009PC2DNC70N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009PC2DX012Q | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG009PC2DX012Q WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009PC2DX012Q | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG009PC2DX012Q = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009SC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG009SC2DNC70N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG009SC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG009SC2DNC70N = WDUALOBE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M5CN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG015M5CN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M5CN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015M5CN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M5LQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015M5LQ = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M5LQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG015M5LQ THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6DQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG015M6DQ THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6DQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015M6DQ = THRU-HOLE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6KN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG015M6KN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6KN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015M6KN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6SN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG015M6SN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015M6SN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015M6SN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015PC2DCC05N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG015PC2DCC05N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015PC2DCC05N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG015PC2DCC05N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015PC2DCC05Q | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG015PC2DCC05Q = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG015PC2DCC05Q | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: WDUALOBE CONNECTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG02511208M5N | TE Connectivity / Nanonics | Headers & Wire Housings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG02511378PCN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG02511378PCN = SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025L2AQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG025L2AQ SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025L2AQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025L2AQ = SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025M5 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025M5 = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025M5CN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025M5CN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025M6CN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG025M6CN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025M6CN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025M6CN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025PC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG025PC2DNC70N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025PC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025PC2DNC70N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025PC2DT036N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025PC2DT036N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025PC2DT036N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG025PC2DT036N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025PC3DC012N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025PC3DC012N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025SC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025SC2DNC70N = WDUALOBE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025SC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG025SC2DNC70N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025SC2DT012HN | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG025SC2DT012HN WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025SC2DT012HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025SC2DT012HN = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025T2HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025T2HN = SMT CONN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025T84HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG025T84HN = SMT CONN Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG025T84HN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG025T84HN=SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG03711378PCN | TE Connectivity / Nanonics | Headers & Wire Housings STG03711378PCN SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG03711378PCN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG03711378PCN = SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG03711378SCN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG03711378SCN = SMT CONN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG03711378SCN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG03711378SCN SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037B5N | TE Connectivity / Nanonics | Headers & Wire Housings STG037B5N SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037B5N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037B5N = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037L2AQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG037L2AQ SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037L2AQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037L2AQ = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037L2HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037L2HN = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037L2HN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG037L2HN=SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037M5CN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG037M5CN THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037M5CN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037M5CN = THRU-HOLE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037M6HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037M6HN = THRU-HOLE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037M6HN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG037M6HN=THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037PC2DC006N | TE Connectivity / Nanonics | Specialized Cables STG037PC2DC006N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037PC2DC006N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: WDUALOBE CONNECTOR Packaging: Bulk Connector Type: Plug to Individual Wire Leads Color: Multiple, Individual Length: 0.500' (152.40mm, 6.00") Shielding: Unshielded Number of Positions: 37 Number of Rows: 2 Cable Termination: Crimp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037PC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG037PC2DNC70N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037PC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037PC2DNC70N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DC006N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037SC2DC006N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DC036N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037SC2DC036N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DC036N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG037SC2DC036N WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DNC70N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037SC2DNC70N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DNC70N | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG037SC2DNC70N = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DX008 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG037SC2DX008 = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG037SC2DX008 | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG037SC2DX008 WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051L2AQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG051L2AQ = SMT CONN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051L2AQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG051L2AQ=SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051L5HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG051L5HN = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051L5HN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG051L5HN SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051M6HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG051M6HN = THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051T2 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG051T2 = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051T2AQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: CONN D-TYPE RCPT 51P SMD R/A SLD Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Shell Material, Finish: Aluminum, Gold Plated Part Status: Active | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG051T2AQ | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG051T2AQ=SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG051T2AQ | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: CONN D-TYPE RCPT 51P SMD R/A SLD Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount, Right Angle Number of Positions: 51 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Termination: Solder Connector Style: D-Type, Nano-D Shell Material, Finish: Aluminum, Gold Plated Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065L2HN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG065L2HN SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065L2HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065L2HN = SMT CONN | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065L2KN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065L2KN = SMT CONN | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065L2KN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG065L2KN=SMT CONN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065M6SN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065M6SN = THRU-HOLE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065M6SN | TE Connectivity / Nanonics | Rectangular Mil Spec Connectors STG065M6SN=THRU-HOLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065PC2DC036 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065PC2DC036 = WDUALOBE | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065PC2DC036N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065PC2DC036N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065PC2DX036N | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065PC2DX036N = WDUALOBE | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065SC2DC036 | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065SC2DC036 = WDUALOBE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065SC2DC036 | TE Connectivity / Nanonics | Specialised Cables STG065SC2DC036 = WDUALOBE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG065T2HN | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STG065T2HN = SMT CONN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1218IQT | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1700J | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG1700J-13 | ST | PLCC44 | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1700J-13Z | ST | PLCC44 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1701J-13Z | ST | 2002 PLCC | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1702-13Z | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG1702J-13Z | ST | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1702J-BZ | ST | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1702J132 | ST | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1702J13Z | ST | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1702L-12Z | ST | PLCC44 | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1702L12Z | N/A | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1703J-13 | ST | PLCC68 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1703J-13 | ST | PLCC68 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1703J13 | N/A | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1705J-13 | ST | PLCC68 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1705J-B | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG1732X-13 | ST | на замовлення 6769 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG1764X-13 | ST | QFP128 | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1764X-13 | ST | 00+ QFP | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG1764X-13B | на замовлення 144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2000 | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2000X | ST | на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG2000XB | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2001 | SEC | PLCC68 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG2001 | ST | PLCC68 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG200G65FD8AG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650V 200A high-efficiency M series IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG200G65FD8AG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 66.2ns/442.7ns Switching Energy: 5.34mJ (on), 6.23mJ (off) Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 701 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG200M65F2D8AG | STMicroelectronics | IGBT Transistors Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG2506 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2507 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2919 | на замовлення 995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG2919A | N/A | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG2E4-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-On-Off Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Screw Terminal Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Part Status: Active Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG2E4-53 | Carling Technologies | Toggle Switches STG2E4-53 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG2EE-53 | Carling Technologies | Toggle Switches 2P OFFCrc1ONCrc1&2ON Jmpr T2-T5 NoTerm T | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG2EE-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-On-Off Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Screw Terminal Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3/4 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: 350V 3/4A .20X.54 2AG TD Packaging: Bulk Package / Case: 2AG, 5mm x 15mm Size / Dimension: 0.201" Dia x 0.543" L (5.10mm x 13.80mm) Fuse Type: Cartridge, Glass Mounting Type: Requires Holder Response Time: Slow Blow Approval Agency: CSA, UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100A Current Rating (Amps): 750 mA Voltage Rating - AC: 350 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3000B1S | на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3000C3S | SGS-THOMSON | 1999 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3001A | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3005A5S | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG30H65FBD7 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3155DTR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3155DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 600MOHM 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 600mOhm -3db Bandwidth: 70MHz Supplier Device Package: 6-DFN (1.45x1) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 53pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 21mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.6pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3155DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 600MOHM 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 600mOhm -3db Bandwidth: 70MHz Supplier Device Package: 6-DFN (1.45x1) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 53pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 21mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.6pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM SOT323-6L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 15Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-323-6L Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 23pC Crosstalk: -55dB @ 10MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 10ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 24813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Low Volt/Low-On SPDT | на замовлення 45789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT323-6L Supply voltage: 1.65...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8816 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3157CTR - SCHALTER,SPDT, SMD tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.65÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT323-6L Supply voltage: 1.65...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 | на замовлення 8816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3157CTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM SOT323-6L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 15Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-323-6L Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 23pC Crosstalk: -55dB @ 10MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 10ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Part Status: Active Number of Circuits: 1 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3159DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.1OHM 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 1.1Ohm -3db Bandwidth: 150MHz Supplier Device Package: 6-DFN (1.2x1) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 33pC Crosstalk: -80dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 23ns, 21ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3220QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 5.4OHM 10QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.4Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 6.4pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3220QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 5.4OHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.4Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 6.4pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3384DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SPST 10TDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3482QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SP4T 16-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3482QTR | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3482QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SP4T 16QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3482QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SP4T 16-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3482QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SP4T 16QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3680QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 800MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 800mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3680QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 800MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 800mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3680QTR | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3682QTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Dual SPDT Switch | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3682QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 5.2OHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3682QTR | STMicroelectronics | Analog Switch/Analog Multiplexer Dual 2:1 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3682QTR | на замовлення 6363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3682QTR | STMicroelectronics | Analog Switch/Analog Multiplexer Dual 2:1 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3682QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 5.2OHM 10QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 2 | на замовлення 2917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3684ADTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 55MHz Supplier Device Package: 10-DFN (2.3x2) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684ADTR | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3684AQTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 55MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 55MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3684AUTR - ANALOGUE SWITCH, SPDT, -40 TO 85DEG C tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | ST | STG3684A Series SPDT 4.3 V 0.5 Ohm SMT Low Voltage Analog Switch - QFN-10L STG3684AUTR STM UISTG3684AUTR кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 55MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Lo Vltg 0.5 MAX DUAL SPDT SWITCH | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684AUTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3684AUTR - ANALOGUE SWITCH, SPDT, -40 TO 85DEG C tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3684Q | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3684QT | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3684QTR | st | 05+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684QTR | STMicroelect | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3684QTR | ST | 09+ | на замовлення 5993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3689DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDTX2 700MOHM 10TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 700mOhm -3db Bandwidth: 85MHz Supplier Device Package: 10-TDFN (2.5x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 44pC Crosstalk: -76dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3690QTR | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3690QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 1.5OHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 1.5Ohm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3690QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 1.5OHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 1.5Ohm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3692B | на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3692QTR - ANALOGSCHALTER, 4 KANÄLE, SPDT, QFN-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 6.5ohm Einschaltwiderstand, typ.: 4ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: USB Durchlasswiderstand, max.: 6.5ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Lo Vltg Hi bandwidth quad SPDT switch | на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 5.2OHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3692QTR - ANALOGSCHALTER, 4 KANÄLE, SPDT, QFN-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 6.5ohm Einschaltwiderstand, typ.: 4ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 2:1 Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: USB Durchlasswiderstand, max.: 6.5ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 5.2OHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3692QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 5.2OHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 5ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Low Voltge Quad SPDT | на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 5.2OHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.2Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 5pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 5ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3693QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad SPDT 16-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT USB/AUDIO 10-QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Features: USB 2.0 Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Applications: Audio, USB On-State Resistance (Max): 5Ohm -3db Bandwidth: 850MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.5V Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Part Status: Active Number of Channels: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs LV Dual SPDT Switch USB Audio 8kV ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 10-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT USB/AUDIO 10-QFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: USB 2.0 Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Applications: Audio, USB On-State Resistance (Max): 5Ohm -3db Bandwidth: 850MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 4.5V Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Part Status: Active Number of Channels: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3696EQTR Код товару: 101519
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3698AQTR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3698QTR | ST | 09+ | на замовлення 14343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3698QTR | ST | на замовлення 290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3698YS04 | ST | 2004 | на замовлення 1272 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG36990QTR Код товару: 52128
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG36990QTR | на замовлення 2998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3699ADWF | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 450MOHM Packaging: Tray Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 450mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699AQTR | ST | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3699AQTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 450MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 450mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699AQTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 450MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 450mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699AUTR | на замовлення 5021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3699AUTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 450MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 450mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.5x2.5) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699AUTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 450MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 450mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.5x2.5) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699BVTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 500MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 40MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 57pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699BVTR | STMicroelectronics | на замовлення 1610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3699BVTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 500MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 40MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 57pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699QT | на замовлення 1113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3699QTR | ST | 09+ | на замовлення 10103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 500MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699QTR | ST | 0414 | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 4 500MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 35pC Crosstalk: -54dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3699QTR | ST | на замовлення 1945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG3699YS04 | ST | 2004 | на замовлення 861 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs High Speed Quad DPDT C2MOS LV Switch | на замовлення 13123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW DPDTX4 5.8OHM FLIPCHIP 30 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-WFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.8Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: FlipChip 30 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 6.4pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: DPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | на замовлення 4503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad DPDT 30-Pin Flip-Chip T/R | на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW DPDTX4 5.8OHM FLIPCHIP 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-WFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 5.8Ohm -3db Bandwidth: 800MHz Supplier Device Package: FlipChip 30 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 6.4pC Crosstalk: -78dB @ 1MHz Switch Circuit: DPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 15ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad DPDT 30-Pin Flip-Chip T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3820BJR | STMicroelectronics | Analog Switch Quad DPDT 30-Pin Flip-Chip T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SP3T 12-Pin QFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3856QTR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3856QTR - ANALOGUE SWITCH, SP3T, -40 TO 85DEG C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.4V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 1ohm Einschaltwiderstand, typ.: 0.6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 3:1 Schalterkonfiguration: SP3T euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 1ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SP3T X 2 1OHM 12QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 1Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: 12-QFN (2.2x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 55pC Crosstalk: -84dB @ 100kHz Switch Circuit: SP3T Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 2 | на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SP3T 12-Pin QFN T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Lo Vltg 1.0 Ohm Max Dual SP3T Switch | на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SP3T 12-Pin QFN T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG3856QTR - ANALOGUE SWITCH, SP3T, -40 TO 85DEG C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Schalter, analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.4V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 1ohm Einschaltwiderstand, typ.: 0.6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 3:1 Schalterkonfiguration: SP3T euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 1ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG3856QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SP3T X 2 1OHM 12QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 1Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: 12-QFN (2.2x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 55pC Crosstalk: -84dB @ 100kHz Switch Circuit: SP3T Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Active Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG3P2M10N60B | STMicroelectronics | Description: IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2 Packaging: Bulk Package / Case: SEMITOP®2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Single Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SEMITOP®2 Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 56 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG400-X | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG4000-X | ST | BGA-400 | на замовлення 207 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4000A3S | ST | 00+ | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4000A3S/TR | STMicroelect | 2001 | на замовлення 469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4000A3STR | ST | 0128+ BGA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4000X | ST | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG4001A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG4005-ES | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG40L-3-24-RAG | QLIGHT | STG40L324RAG Signalling Columns | на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40L-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG40LBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40LF-3-24-RAG | QLIGHT | STG40LF324RAG Signalling Columns | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40LF-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG40LFBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40ML-3-24-RAG | QLIGHT | STG40ML324RAG Signalling Columns | на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40ML-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG40MLBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40MLF-3-24-RAG | QLIGHT | STG40MLF324RAG Signalling Columns | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG40MLF-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG40MLFBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG4158BJR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs LOW VOLTAGE 0.6 OHM SINGLE SPDT SWITCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4158BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX1 600MOHM 6FLIPCHIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 600mOhm (Typ) -3db Bandwidth: 40MHz Supplier Device Package: 6-FlipChip (1.23x0.83) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V Charge Injection: 230pC Crosstalk: -61dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 13ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Part Status: Active Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4159BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX1 300MOHM 7FLIPCHIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 7-WFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 300mOhm -3db Bandwidth: 28MHz Supplier Device Package: 7-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 140pC Crosstalk: -69dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 17ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4159BJR | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG4160BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX1 500MOHM 8FLIPCHIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 8-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 162pC Crosstalk: -67dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 38ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4160BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX1 500MOHM 8FLIPCHIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 8-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 162pC Crosstalk: -67dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 38ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4160BJR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs LV 0.5 Ohm SPDT 15kV 1.65 to 4.8V 0.2uA | на замовлення 4531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG4210QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPST-NOX2 1.3OHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 1.3Ohm -3db Bandwidth: 58MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 85pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4259BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX2 300MOHM 11FLIPCHIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 11-WFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 300mOhm -3db Bandwidth: 40MHz Supplier Device Package: 11-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 103pC Crosstalk: -93dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 17ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4260BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 12FLIPCHIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 12-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 140pC Crosstalk: -67dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 38ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4260BJR | STMicroelectronics | Analog Switch Dual SPDT 12-Pin Flip-Chip T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG4260BJR | STMicroelectronics | Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 12FLIPCHIP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 50MHz Supplier Device Package: 12-FlipChip Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.8V Charge Injection: 140pC Crosstalk: -67dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 38ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 30nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4260BJR | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG4500-X | SGS | 01+ BGA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG4500A2S/TR | ST | 01+ | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5001A | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG5001B | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG50L-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG50LBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG50LF-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG50LFBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG50ML-3-24-RAG | QLIGHT | STG50ML324RAG Signalling Columns | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG50MLF-3-24-RAG | QLIGHT | STG50MLF324RAG Signalling Columns | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG50MLF-BZ-3-24-RAG | QLIGHT | STG50MLFBZ324RAG Signalling Columns | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG5123DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT 6DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5123DTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs LOW VOLTAGE 1 OHM SINGLE SPDT SWITCH | на замовлення 9531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5123DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT 6DFN | на замовлення 6485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5123DTR | ST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG5123DTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT 6DFN | на замовлення 6485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5223QTR | ST | 10+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5223QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 500MOHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 500mOhm -3db Bandwidth: 55MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -72dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 40pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5223QTR | ST | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG5592QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG5592QTR - Schalt-IC, Analogschalter, 4 Kanäle, SPDT, CMOS, 1.65-5.5V, SMD, -40-125°C, QFN-EP tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG5592QTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STG5592QTR - Schalt-IC, Analogschalter, 4 Kanäle, SPDT, CMOS, 1.65-5.5V, SMD, -40-125°C, QFN-EP tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 4ohm Einschaltwiderstand, typ.: 3.2ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: CMOS Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG5678BJR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SPDT FLIPCHIP12 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5682QTR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Lo Vltg dual SPDTswitch | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG5682QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 550MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 550mOhm -3db Bandwidth: 33MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V Charge Injection: 126pC Crosstalk: -60dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 80ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG5682QTR | на замовлення 12752 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG5682QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 550MOHM 16QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 550mOhm -3db Bandwidth: 33MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V Charge Injection: 126pC Crosstalk: -60dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 80ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG5683QTR | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG5683QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 550MOHM 16QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 550mOhm -3db Bandwidth: 33MHz Supplier Device Package: 16-QFN (2.6x1.8) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V Charge Injection: 46pC Crosstalk: -60dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 80ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6-R | ABB Electrification (Thomas and Betts) | Description: PVC CTD ZINC GROUND HUB 2IN RED Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6001 | SEC/SAMS.. | PLCC68 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6001 | SEC | PLCC68 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6001 | SEC | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG6384QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SPST 10QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6384QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH DUAL SPST 10QFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6684QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 550MOHM 10QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 550mOhm -3db Bandwidth: 65MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -85dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 85pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG6684QTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 2 550MOHM 10QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 550mOhm -3db Bandwidth: 65MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V Charge Injection: 49pC Crosstalk: -85dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 30ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 85pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG7001 | SEC | PLCC68 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG7001 | SEC | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG7001 | SEC/SAMS.. | PLCC68 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG719 | на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG719CTR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 4OHM SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 4Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Crosstalk: -52dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 7ns, 4.5ns (Typ) Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 19pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG719S | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 4OHM SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 4Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Crosstalk: -52dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 7ns, 4.5ns (Typ) Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 19pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA Number of Circuits: 1 | на замовлення 74295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT23-6 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 | на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer,SPDT; 1.8÷5.5VDC Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer; SPDT Case: SOT23-6 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Mounting: SMD Interface: GPIO Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2637 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Analogue Switch ICs Lo-Volt SPDT Switch | на замовлення 30548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Description: IC SWITCH SPDT X 1 4OHM SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) On-State Resistance (Max): 4Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Crosstalk: -52dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 7ns, 4.5ns (Typ) Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 19pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA Number of Circuits: 1 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STG719STR | STMicroelectronics | Analog Switch Single SPDT 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG719STR Код товару: 171854
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Аналогові | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG8203 | SAMHOP | на замовлення 10942 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG8203E | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8205 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8206 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8207 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8209 | на замовлення 4570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8210 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8210B | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8211 | на замовлення 208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG8514 | ST | SOP16 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG8810 | на замовлення 1060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG9103 | 07+ | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG9103 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG9103 | PLCC68 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG9104 | 07+ | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG9104 | на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STG9104 | PLCC68 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STG9105 | SEC | PLCC | на замовлення 133 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG9105A | SEC | PLCC68 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STG9105A | SEC | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGA2D11-220M | на замовлення 5666 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGAP1AS | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Automotive galvanically isolated single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1AS | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 24-Pin SO W Tube Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1AS | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO Packaging: Tube Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A Voltage - Isolation: 2500Vrms Supplier Device Package: 24-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 130ns, 130ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 36V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1ASTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A Voltage - Isolation: 2500Vrms Supplier Device Package: 24-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 130ns, 130ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 36V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1ASTR | STMicroelectronics | Gate Drivers Automotive galvanically isolated single gate driver | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1ASTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv Automotive AEC-Q100 24-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1BS | STMicroelectronics | STGAP1BS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1BSTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv Automotive 24-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1BSTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP1BSTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 36V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP1BSTR | STMicroelectronics | Gate Drivers SO 24 .30 TO JEDEC MS-013AD | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP1BSTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP1BSTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, MOSFET, 24 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 36V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP1S | STMicroelectronics | Gate Drivers Industrial & ASIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1S | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO Packaging: Tube Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 24-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 130ns, 130ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 36V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1STR | STMicroelectronics | Gate Drivers Industrial & ASIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP1STR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A Voltage - Isolation: 2500Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 24-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 130ns, 130ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 36V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2DM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A half-bridge dual channel gate driver | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DM | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2DM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N Tube | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2DMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 26V Versorgungsspannung, 4Aout, 80ns Verzögerung, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 80ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 2CH GATE DVR 16SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A half-bridge dual channel gate driver | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 2CH GATE DVR 16SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 16-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2DMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2DMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 26V Versorgungsspannung, 4Aout, 80ns Verzögerung, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 80ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSC | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSC | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2GSCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2GSCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNC | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNC | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs | на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2GSNCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 3A, 3A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 8ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2GSNCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2GSNCTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HDM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HDM | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Bulk Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HDM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A dual gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A dual gate driver | на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HDMTR - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 36 Pin(s), SO-36W tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SO-36W Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SO-36W Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HDMTR - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 36 Pin(s), SO-36W tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SO-36W Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HDMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCM | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSCM | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSCM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HSCMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9.6-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 9.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HSCMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9.6-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 9.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSCMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSM | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HSMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9.6-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 9.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2HSMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2HSMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9.6-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 9.6V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SAC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Automotive grade galvanically isolated 4 A single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SACTR | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SCM - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 26V Versorgungsspannung, 4Aout, 80ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 80ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N Tube | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCM | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SCMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 26V Versorgungsspannung, 4Aout, 80ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 80ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 16278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SCMTR - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 26V Versorgungsspannung, 4Aout, 80ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 80ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SCMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICD | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICD | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A dual gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICD | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Bulk Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICDTR - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, SiCMOSFET, 36 Pin(s), SO-36W tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SO-36W Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A dual gate driver | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 6KV 2CH GT DVR 36SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 6000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICDTR - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, SiCMOSFET, 36 Pin(s), SO-36W tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SO-36W Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SO-36W Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICDTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg Non-Inv 32-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICS | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSAC | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv Automotive AEC-Q100 8-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSAC | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 3.53KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 3530Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSAC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSACTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSACTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 3.53KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 3530Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSACTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO W T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANC | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.83KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 2830Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANC | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv Automotive AEC-Q100 8-Pin SO Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 2.83KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 2830Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.25V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSANCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSANCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSANCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSC | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSC - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 16.4-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSCTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSCTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO Tube | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 16.4V ~ 26V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO Tube | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSN | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNC | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNC | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNC | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNC - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 4.8KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 4800Vpk Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -50°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 4.8KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, - Voltage - Isolation: 4800Vpk Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNCTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNCTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -50°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: NSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -50°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 16.4V ~ 26V | на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -50°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 16.4V ~ 26V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSNTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SICSTR | STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SM | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SM | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 9.6V ~ 26V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP2SM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N Tube | на замовлення 15648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SM | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N Tube | на замовлення 15648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 9.6V ~ 26V | на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver | на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Description: DGTL ISO 1.7KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 1700VDC Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 9.6V ~ 26V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP2SMTR | STMicroelectronics | Driver 2-OUT Half Brdg 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6I | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver IGBTs 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6I | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6I | STMicroelectronics | Description: MOTION CONTROL & AUTOMATION Packaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 10A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP3S6ITR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: TBA Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver IGBTs 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6ITR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP3S6ITR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6S | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6S | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6S | STMicroelectronics | Description: MOTION CONTROL & AUTOMATION Packaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 10A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 6A Source/Sink desat protect SOFTOFF | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3S6STR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXI | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXI | STMicroelectronics | Description: MOTION CONTROL & AUTOMATION Packaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 10A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXI | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP3SXITR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 10A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP3SXITR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: TBA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: CMOS, TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 10A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXITR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXS | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXS | STMicroelectronics | Description: MOTION CONTROL & AUTOMATION Packaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 10A, 6A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXS | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 10A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Driver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP3SXSTR | STMicroelectronics | Description: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 10A, 10A Voltage - Isolation: 5700Vrms Supplier Device Package: 16-SO Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns Pulse Width Distortion (Max): 10ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP4STR | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3.4A Technology: Optical Coupling Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 30ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP4STR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 32V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP4STR | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 3.4A Technology: Optical Coupling Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE Supplier Device Package: 36-SO Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Pulse Width Distortion (Max): 30ns Grade: Automotive Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGAP4STR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 32V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W | на замовлення 4198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed | на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10N60LT4 | STM | TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10N60LT4 | STM | 07+ TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NB37LZ | STMicroelectronics | IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZ | STMicroelectronics | Description: IGBT 440V 20A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM (шт) | на замовлення 31 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | на замовлення 1996 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 Код товару: 34446
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > IGBT Корпус: D²PAK Vces: 410 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А | у наявності 55 шт: 46 шт - склад3 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 10 шт: 10 шт - очікується |
| ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 222 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Код товару: 212617
Додати до обраних
Обраний товар
| Китай | Транзистори > IGBT Корпус: D²PAK Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZ | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NB40LZ | STMicroelectronics | IGBT Transistors 10 A - 410 V internally clamped IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 440V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 440V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | на замовлення 102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB40LZT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NB60S | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NB60ST4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 29A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 33 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 29 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 10A 600V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 654 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST) Код товару: 155334
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB10NC60K | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NC60KD | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB10NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N-channel MOSFET | на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 Код товару: 155948
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB10NC60KT4 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB12NB60KD | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB12NB60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 30A 125W D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB12NB60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 30A 125W D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB14NC60K | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB14NC60KD | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB14NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 34.4nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 34.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 34.4 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB14NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 34.4 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed | на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 115 W | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 600V H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 115 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15H60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 600V H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 142 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 45 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 136W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB15M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 142 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 45 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB18N40LZ-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 420V 30A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 420V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | IGBTs EAS 180 mJ-400 V | на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 420V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19N40LZ | STMicroelectronics | Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19N40LZ | STMicroelectronics | IGBT Transistors PTD IGBT & IPM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 925 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 600V 19A | на замовлення 3284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60KD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | на замовлення 567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 125 W | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB19NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 35A 125W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB19NC60WT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB2012-360PT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H60DF | STMicroelectronics | IGBTs 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 147 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 147 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65FB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20H65FB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 167W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 147 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK; ESD Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 24nC Power dissipation: 150W Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Collector-emitter voltage: 390V Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Type of transistor: IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 390V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Description: IGBT 390V 25A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 24 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N40LZ | STMicroelectronics | IGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped | на замовлення 952 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 638000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 450V 25A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 638000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 450V 25A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG Код товару: 169666
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB32LZ | STMicroelectronics | Description: IGBT 375V 40A 150W I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/11.5µs Switching Energy: 11.8mJ (off) Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB32LZ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NB32LZ-1 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NB32LZT4 Код товару: 27025
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB20NB32LZT4 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NB37LZ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NB37LZ | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Channel 20 Amp IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZ | STMicroelectronics | Description: IGBT 425V 40A 200W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs Switching Energy: 11.8mJ (off) Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 425V 40A 200W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs Switching Energy: 11.8mJ (off) Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 425V 40A 200W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs Switching Energy: 11.8mJ (off) Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NB41ZT4 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NC60V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NC60V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB20NC60V | STMicroelectronics | IGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NC60V | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A 200W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NC60V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 60A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20NC60VT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20NC60VT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 167W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 167W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 167W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB20V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 167W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB20V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N36LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N36LZAG | STMicroelectronics | Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs Gate Charge: 25.7 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N36LZAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 435V 25A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Description: IGBT 435V 25A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 105 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 149nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/320ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/320ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Application: ignition systems Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Gate charge: 110nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 167W euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30H65FB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A 185W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 96 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A Power - Max: 185 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 60A 200W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB30V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB30V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | на замовлення 1000 шт: термін постачання 621-630 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 345V 40A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs Test Condition: 300V, 15A, 5V Gate Charge: 49 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 176 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 320V 40A 176W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 345V 40A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/26.5µs Test Condition: 300V, 15A, 5V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 345 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 176 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3HF60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 7.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A 68W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns Switching Energy: 125µJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 16 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 68 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NB60HD | ST | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB3NB60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A 50W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 14ns/33ns Switching Energy: 30µJ (on), 58µJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 14 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NB60SDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A 70W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 125ns/3.4µs Switching Energy: 1.15mJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 70 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NB60SDT4 | ST | TO-263 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 14A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 14A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 75 W | на замовлення 659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 14A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | на замовлення 792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40H65FB | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB40V60F | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 15.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Power - Max: 68 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 15.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Power - Max: 68 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 86A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 272W euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 86A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 86A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB50H65FB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa | на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB5H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 43 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 88 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB5H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB5H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB5H60DF | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 88W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB5H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 43 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 88 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W | на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB6NC60HD-1 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 56W I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: I2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 Код товару: 216505
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH TM IGBT | на замовлення 7925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB6NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB70NB60HD | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A Power - Max: 88 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A Power - Max: 88 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7H60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB7NB40LZT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 430V 14A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.4µs Test Condition: 300V, 46Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60HDT4 | STM | TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns Switching Energy: 85µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60HDT4 | STM | 07+ TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60KDT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NB60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns Switching Energy: 140µJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 32.7 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HD-1 | STMicroelectronics | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp | на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HDT4-A | STMicroelectronics | IGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB7NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 65W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 Код товару: 189599
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 65W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 65W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A 65W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGBL6NC60D | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGBL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 56W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGBL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 56W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGBL6NC60DT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 56W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGBL6NC60DT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 14A 56W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGCF02 | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode | на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10N40LZ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STGD10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 62W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60HDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 62W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 10A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60HT4 Код товару: 35249
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 60W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 60W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | ST | IGBT 600V 20A 62W STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics TSTGD10nc60kdt4 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W | на замовлення 3878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBTs N Ch 600V 10A | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1845 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KDT4 Код товару: 198296
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 20A 60W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60SDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 18A 60W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60SDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STGD10NC60SDT4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 18A 60W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD10NC60ST4 | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 18A 60W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STGD1100LT1G | onsemi | MOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |