STGP10NC60HD

STGP10NC60HD STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.71 грн
10+91.05 грн
12+79.96 грн
33+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP10NC60HD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns, Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції STGP10NC60HD за ціною від 43.55 грн до 177.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 19.2nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.24 грн
10+109.26 грн
12+95.96 грн
33+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics en.CD00077678.pdf IGBTs PowerMESH TM IGBT
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.34 грн
10+111.88 грн
100+66.05 грн
500+55.33 грн
1000+48.72 грн
2000+45.07 грн
5000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD
Код товару: 110310
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00077678.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics en.cd00077678.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics 11862.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics 11862.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Виробник : STMicroelectronics en.CD00077678.pdf Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.