Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGP10NC60HD за ціною від 81.25 грн до 151.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STGP10NC60HD | STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH TM IGBT |
на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGP10NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.79 грн |
| 4+ | 122.71 грн |
| 10+ | 93.69 грн |
| 50+ | 81.25 грн |
| STGP10NC60HD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH TM IGBT
IGBTs PowerMESH TM IGBT
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




