STN4NF03L
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 60mOhm; 6,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; HSL3002; STN4NF03L-VB; STN4NF03L; STN4NF03L TSTN4NF03L
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN4NF03L ST
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STN4NF03L за ціною від 10.96 грн до 89.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 8364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp |
на замовлення 6636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STN4NF03L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STN4NF03L | STMicroelectronics |
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STN4NF03L |
|
на замовлення 799 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 20.62 грн |
| 8000+ | 18.42 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 22.34 грн |
| 8000+ | 20.52 грн |
| 24000+ | 19.75 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 22.51 грн |
| 8000+ | 20.67 грн |
| 24000+ | 19.90 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.29 грн |
| 8000+ | 24.13 грн |
| 24000+ | 23.38 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.29 грн |
| 8000+ | 24.13 грн |
| 24000+ | 23.38 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 38.29 грн |
| 14+ | 30.81 грн |
| 16+ | 28.19 грн |
| 50+ | 23.28 грн |
| 100+ | 22.01 грн |
| 250+ | 20.82 грн |
| 500+ | 19.81 грн |
| 1000+ | 19.55 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.03 грн |
| 250+ | 34.95 грн |
| 1000+ | 23.77 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.65 грн |
| 10+ | 51.12 грн |
| 100+ | 33.59 грн |
| 500+ | 24.45 грн |
| 1000+ | 22.17 грн |
| 2000+ | 20.25 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
MOSFETs N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
на замовлення 6636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.97 грн |
| 10+ | 51.44 грн |
| 100+ | 31.01 грн |
| 500+ | 24.05 грн |
| 1000+ | 21.80 грн |
| 2000+ | 19.97 грн |
| 4000+ | 17.09 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 89.43 грн |
| 50+ | 51.03 грн |
| 250+ | 34.95 грн |
| 1000+ | 23.77 грн |
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
N-канальный ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 3,3, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 9, Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 D, Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 10.96 грн |






