STP75NF75
Код товару: 25297
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,011 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3700/117
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44.00 грн |
| 10+ | 39.60 грн |
| 100+ | 35.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP75NF75 за ціною від 58.30 грн до 299.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP75NF75 | ST |
N-MOSFET 75A 75V 160W 0.01Ω Replacement: STP75NE75 STP75NF75 TSTP75NF75кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 748 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP75NF75 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP75NF75 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP75NF75 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.011 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: ST
N-MOSFET 75A 75V 160W 0.01Ω Replacement: STP75NE75 STP75NF75 TSTP75NF75
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 75A 75V 160W 0.01Ω Replacement: STP75NE75 STP75NF75 TSTP75NF75
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 58.81 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 175+ | 80.75 грн |
| 177+ | 79.95 грн |
| 189+ | 74.69 грн |
| 500+ | 62.14 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.34 грн |
| 10+ | 81.82 грн |
| 50+ | 81.00 грн |
| 100+ | 72.98 грн |
| 500+ | 58.30 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 75V; 70A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 220.12 грн |
| 10+ | 112.33 грн |
| 50+ | 97.13 грн |
| 100+ | 91.22 грн |
| 500+ | 77.71 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.18 грн |
| 10+ | 188.98 грн |
| 50+ | 146.59 грн |
| 100+ | 124.75 грн |
| 500+ | 102.29 грн |
| STP75NF75 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP75NF75 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP75NF75 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3952 шт
- 3883 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| TIP41C (біполярний транзистор NPN) Код товару: 25815
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 75
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 6 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 75
Монтаж: THT
у наявності: 245 шт
- 116 шт - склад
- 88 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.90 грн |
| 100+ | 10.70 грн |
| SIHG20N50C Код товару: 44837
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,27 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/
Монтаж: THT
у наявності: 161 шт
- 101 шт - склад
- 60 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 82.50 грн |
| 10+ | 74.80 грн |
| Флюс-гель безвідмивний FVS-BGA-NC 10 мл Код товару: 130643
20
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ІнтерТехКомплект
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Нейтральний флюс
Опис: Неактивний флюс-гель для монтажних і ремонтних робіт в галузі електроніки без відмивання залишків після пайки. Не містить галогенів. Незамінний для пайки BGA, реболінгу і звичайної пайки за допомогою ІЧ-станції, фена або паяльника, підходить для свинцевих і безсвинцевих припоїв. При 25 °C флюс густий, легко наноситься. Залишки флюсу утворюють полімерну ізоляційну плівку, яка є додатковим захистом місця пайки від окислення. Флюс використовується для пайки мідних, залуджених та інших контактів радіодеталей. Робоча температура флюсу 180-300 °C.
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 мл
Консистенція: Паста-гель
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Нейтральний флюс
Опис: Неактивний флюс-гель для монтажних і ремонтних робіт в галузі електроніки без відмивання залишків після пайки. Не містить галогенів. Незамінний для пайки BGA, реболінгу і звичайної пайки за допомогою ІЧ-станції, фена або паяльника, підходить для свинцевих і безсвинцевих припоїв. При 25 °C флюс густий, легко наноситься. Залишки флюсу утворюють полімерну ізоляційну плівку, яка є додатковим захистом місця пайки від окислення. Флюс використовується для пайки мідних, залуджених та інших контактів радіодеталей. Робоча температура флюсу 180-300 °C.
Вага/Обʼєм/К-сть: 10 мл
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 49 шт
- 38 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 115.00 грн |
| 10+ | 99.00 грн |
| 100+ | 90.00 грн |
| PC817A Код товару: 18418
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°С
Кількість каналів: 8542 39 90 00
у наявності: 7460 шт
- 7131 шт - склад
- 171 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 132 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 26 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |








