Продукція > STMICROELECTRONICS > STP80NF55-06
STP80NF55-06

STP80NF55-06 STMicroelectronics

1507119890081476cd000.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.71 грн
2000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP80NF55-06 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP80NF55-06 за ціною від 64.99 грн до 200.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics 1507119890081476cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics 1507119890081476cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics STP80NF55-06FP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.30 грн
10+78.24 грн
25+70.33 грн
50+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics 1507119890081476cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.50 грн
50+125.23 грн
100+114.11 грн
500+92.28 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics 1507119890081476cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+126.98 грн
112+125.71 грн
123+114.54 грн
500+92.63 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics en.CD00002670.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
50+95.41 грн
100+85.91 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMICROELECTRONICS SGSTS35694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics en.CD00002670.pdf MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06 STMicroelectronics 1507119890081476cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF5506 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 1507119890081476cd000.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 1507119890081476cd000.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 STP80NF55-06FP.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.30 грн
10+78.24 грн
25+70.33 грн
50+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 1507119890081476cd000.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.50 грн
50+125.23 грн
100+114.11 грн
500+92.28 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 1507119890081476cd000.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+126.98 грн
112+125.71 грн
123+114.54 грн
500+92.63 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 en.CD00002670.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.13 грн
50+95.41 грн
100+85.91 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 SGSTS35694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP80NF55-06
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 en.CD00002670.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06 1507119890081476cd000.pdf
STP80NF55-06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF5506
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.