Технічний опис STP80NF55-06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.
Інші пропозиції STP80NF55-06 за ціною від 62.09 грн до 258.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP80NF55-06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP80NF5506 | ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 62.09 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 157.68 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 157.68 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.70 грн |
| 10+ | 128.07 грн |
| 50+ | 97.84 грн |
| 100+ | 82.67 грн |
| 500+ | 66.64 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.91 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 256.87 грн |
| 95+ | 149.91 грн |
| 106+ | 133.89 грн |
| 117+ | 116.42 грн |
| 500+ | 79.36 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 258.00 грн |
| 10+ | 150.57 грн |
| 50+ | 134.48 грн |
| 100+ | 116.93 грн |
| 500+ | 79.72 грн |
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP80NF55-06 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP80NF5506 |
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)