STP80NF55-06 STMicroelectronics
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP80NF55-06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP80NF55-06 за ціною від 38.75 грн до 306.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP80NF55-06 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STP80NF5506 | Виробник : ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STP80NF55-06 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II |
товару немає в наявності |