Продукція > STMICROELECTRONICS > STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP STMicroelectronics

stmicroelectronics_sgsts18028-1-1742969.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.40 грн
10+41.36 грн
100+24.88 грн
500+20.84 грн
1000+17.76 грн
2000+15.41 грн
4000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STQ1NC45R-AP STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STQ1NC45R-AP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STQ1NC45RAP
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP Виробник : ST STQ1MC45R-AP_Web.pdf 09+
на замовлення 127998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP Виробник : STM STQ1MC45R-AP_Web.pdf TO-92 05+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP
Код товару: 61971
Додати до обраних Обраний товар

STQ1MC45R-AP_Web.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf STQ1NC45R-AP THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.