Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP

STQ1MC45R-AP_Web.pdf
Код товару: 61971
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STQ1NC45R-AP за ціною від 13.28 грн до 69.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_sgsts18028-1.pdf MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.38 грн
10+42.75 грн
100+24.25 грн
500+18.66 грн
1000+16.56 грн
2000+13.98 грн
4000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45RAP
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP Виробник : ST STQ1MC45R-AP_Web.pdf 09+
на замовлення 127998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ1NC45R-AP STQ1NC45R-AP Виробник : STMicroelectronics STQ1MC45R-AP_Web.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.