| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.17 грн |
| 10+ | 42.63 грн |
| 100+ | 24.18 грн |
| 500+ | 18.60 грн |
| 1000+ | 16.51 грн |
| 2000+ | 13.93 грн |
| 4000+ | 13.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STQ1NC45R-AP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-92-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції STQ1NC45R-AP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STQ1NC45RAP |
на замовлення 24745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STQ1NC45R-AP | Виробник : ST |
 09+ |
на замовлення 127998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
|
|
|
STQ1NC45R-AP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
товару немає в наявності |