STW13N80K5
Код товару: 151535
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,45 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/29
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW13N80K5 за ціною від 145.04 грн до 359.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
STW13N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
STW13N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| STW13N80K5 |
|
на замовлення 548 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 145.04 грн |
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 146.62 грн |
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 359.18 грн |
| 10+ | 224.33 грн |
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW13N80K5 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 0,22 Ohm 5% 1W вив. (CR100JTB-0R22-Hitano) Код товару: 182991
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 0,22 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном.: 1 Вт
U роб.: 500 В
Габарити: 11х4 мм; Dвив=0,75 мм
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°С
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 0,22 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном.: 1 Вт
U роб.: 500 В
Габарити: 11х4 мм; Dвив=0,75 мм
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°С
у наявності: 418 шт
- 268 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.35 грн |
| LNK306PN Код товару: 29133
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: PI
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: DIP-7
Напруга живлення Vcc, В: 6...700 В
Вихідний струм Iвих, мА: 578 мА
Частота генерації Fosc, кГц: 66 кГц
К-сть каналів: 1
Робоча температура, °С: -40…+150°С
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: DIP-7
Напруга живлення Vcc, В: 6...700 В
Вихідний струм Iвих, мА: 578 мА
Частота генерації Fosc, кГц: 66 кГц
К-сть каналів: 1
Робоча температура, °С: -40…+150°С
у наявності: 151 шт
- 91 шт - склад
- 35 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| BZX84-C10 Код товару: 28998
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, В: 10 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6,4 мВ/K
у наявності: 1678 шт
- 1131 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 189 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 358 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 431 шт
- 431 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3962 шт
- 3891 шт - склад
- 32 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 330nF 50V X7R 10% 1206 3k/reel (C1206B334K500N3-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 18014
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 330 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 330 нФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 974 шт
- 825 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 149 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.30 грн |
| 10000+ | 1.00 грн |












