Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW13N80K5
STW13N80K5

STW13N80K5

stb13n80k5-datasheet.pdf
Код товару: 151535
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/29
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW13N80K5 за ціною від 136.32 грн до 415.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+225.18 грн
59+217.24 грн
68+186.28 грн
69+177.92 грн
120+153.80 грн
270+136.32 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+243.87 грн
10+235.28 грн
25+201.74 грн
60+192.70 грн
120+166.57 грн
270+147.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.48 грн
10+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics STB13N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.58 грн
10+297.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371877.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+368.19 грн
10+188.12 грн
100+163.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00079143.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.52 грн
10+272.75 грн
100+191.66 грн
600+170.10 грн
1200+145.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 en.DM00079143.pdf
на замовлення 548 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb13n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics 733191939912980dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N80K5 STW13N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00079143.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC3843BD1 (SO-8)
Код товару: 14241
Додати до обраних Обраний товар

UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 250 kHz
Темп.діапазон: -65…+150°C
у наявності: 8 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
40 шт - очікується
Кількість Ціна
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Ізопропіловий спирт очищений 99.9% 1000мл
Код товару: 169565
Додати до обраних Обраний товар

Ізопропіловий спирт очищений 99.9% 1000мл
Хімія > Засоби очищення
Опис: Ізопропіловий спирт очищений 99.9%, упаковка: каністра пластикова 1 літр
Призначення: Ізопропіловий спирт як очищувач застосовується в електротехніці, електроніці, металургії тощо. Добре розчиняє натуральні і деякі синтетичні смоли, етилцелюлозу, полівініл-бутірал, більшість масел. Застосовується як дезінфікуючий засіб. Замерзає при дуже низьких температурах що дозволяє застосовувати його в автомобільній промисловості.
Упаковка: 1л
Тип: Спирт
у наявності: 489 шт
461 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+250.00 грн
10+230.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2430
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 45 шт
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10600 шт
600 шт - очікується
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2425
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 6000 шт
6000 шт - очікується 12.03.2026
Кількість Ціна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
4N35
Код товару: 2416
Додати до обраних Обраний товар

4N35-L.pdf
4N35
Виробник: Liteon
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 3,5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/100 mA
Uвых,V: 30 V
Ton/Toff,µs: 3/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+9.90 грн
100+9.00 грн
1000+8.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.