Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW38N65M5

STW38N65M5

en.DM00049157.pdf
Код товару: 223134
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW38N65M5 за ціною від 314.98 грн до 568.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+357.17 грн
45+314.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.92 грн
10+315.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.05 грн
30+317.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+357.17 грн
45+314.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+357.92 грн
10+315.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 en.DM00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.05 грн
30+317.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 en.DM00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 2362749.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SS110
Код товару: 211560
Додати до обраних Обраний товар
SS110-pdf.pdf
SS110
Виробник: Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,8 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
у наявності: 350 шт
  • 170 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
13+1.60 грн
100+1.20 грн
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Шуруп із циліндричною головкою M3.5x16mm (клас 8.8, цинкування, внутрішній шестигранник)
Код товару: 189804
1 Додати до обраних Обраний товар
Шуруп із циліндричною головкою M3.5x16mm (клас 8.8, цинкування, внутрішній шестигранник)
Кріплення та металеві вироби > Шурупи
Опис: Шуруп із циліндричною головкою під шестигранник 3mm. Клас міцності: 8.8. Покриття: цинк.
Довжина, мм: 16
Різьба: M3,5
Матеріал: Оцинкована сталь
у наявності: 591 шт
  • 591 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+1.00 грн
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56
Код товару: 172131
1 Додати до обраних Обраний товар
baw56-nexperia.pdf
BAW56
Виробник: Nexperia
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., В: 90 В
Iвипр., А: 0,215 А
Опис: Здвоєний, спільний анод, швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 В
у наявності: 404 шт
  • 47 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 166 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 191 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Код товару: 67047
1 Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 4,7 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 264 шт
  • 264 шт - склад
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.20 грн
100+4.50 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 11455
2 Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 нФ
Номін.напруга: 2000 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1845 шт
  • 1845 шт - склад
очікується: 6000 шт
  • 3000 шт - очікується
  • 3000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.80 грн
100+1.50 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.