Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW38N65M5

STW38N65M5

en.DM00049157.pdf
Код товару: 223134
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW38N65M5 за ціною від 313.24 грн до 580.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.53 грн
46+313.46 грн
100+313.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.75 грн
10+317.18 грн
100+316.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.71 грн
30+323.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+355.53 грн
46+313.46 грн
100+313.24 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 12367dm00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+359.75 грн
10+317.18 грн
100+316.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 en.DM00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+580.71 грн
30+323.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 en.DM00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 2362749.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.