Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD09P10-195-BE3
SUD09P10-195-BE3

SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix

SUD09P10.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
10+59.31 грн
100+46.27 грн
500+35.87 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD09P10-195-BE3 за ціною від 22.73 грн до 84.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD09P10-195-BE3 SUD09P10-195-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix SUD09P10.pdf MOSFETs TO252 100V 8.8A P-CH MOSFET
на замовлення 133215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.80 грн
10+56.26 грн
100+37.08 грн
500+31.34 грн
1000+25.68 грн
2000+24.06 грн
4000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3 Виробник : VISHAY SUD09P10.pdf SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-BE3 SUD09P10-195-BE3 Виробник : Vishay Siliconix SUD09P10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.