Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

sud09p10.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.20 грн
4000+24.19 грн
6000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD09P10-195-GE3 за ціною від 26.82 грн до 84.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud09p10.pdf MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 15319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.14 грн
10+62.14 грн
100+43.47 грн
500+35.89 грн
1000+31.07 грн
4000+29.46 грн
10000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : VISHAY sud09p10.pdf Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.55 грн
15+59.93 грн
25+55.72 грн
50+47.67 грн
100+40.40 грн
250+37.53 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+77.32 грн
187+65.86 грн
218+56.38 грн
230+51.55 грн
500+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.44 грн
10+54.93 грн
100+40.21 грн
500+29.48 грн
1000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 Виробник : VISHAY sud09p10.pdf SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.27 грн
28+41.04 грн
75+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.