SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 26.82 грн |
| 4000+ | 23.85 грн |
| 6000+ | 22.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUD09P10-195-GE3 за ціною від 25.32 грн до 83.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A |
на замовлення 15319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 7125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUD09P10-195-GE3 | Виробник : VISHAY |
SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD09P10-195-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |