Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

sud09p10.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.38 грн
4000+23.46 грн
6000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD09P10-195-GE3 за ціною від 26.01 грн до 98.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud09p10.pdf MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 15319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.98 грн
10+60.27 грн
100+42.17 грн
500+34.82 грн
1000+30.14 грн
4000+28.58 грн
10000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.76 грн
187+65.39 грн
218+55.97 грн
230+51.18 грн
500+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.91 грн
10+53.28 грн
100+39.00 грн
500+28.59 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : VISHAY 2050341.pdf Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.27 грн
13+69.37 грн
25+63.54 грн
50+53.67 грн
100+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 Виробник : VISHAY sud09p10.pdf SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.95 грн
28+39.81 грн
75+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Виробник : Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.