SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix


sud09p10.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+24.67 грн
4000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD09P10-195-GE3 за ціною від 23.13 грн до 133.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Semiconductors sud09p10.pdf MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.27 грн
100+36.45 грн
500+28.51 грн
1000+25.96 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY 2050341.pdf Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+86.98 грн
25+78.12 грн
50+64.39 грн
100+51.84 грн
250+47.84 грн
500+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
10+58.93 грн
100+39.02 грн
500+28.60 грн
1000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.48 грн
10+63.27 грн
100+36.45 грн
500+28.51 грн
1000+25.96 грн
2000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 2050341.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+133.70 грн
10+86.98 грн
25+78.12 грн
50+64.39 грн
100+51.84 грн
250+47.84 грн
500+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.