Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

sud09p10.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 66390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.86 грн
6000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm.

Інші пропозиції SUD09P10-195-GE3 за ціною від 25.20 грн до 110.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay sud09p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+92.38 грн
187+78.69 грн
218+67.36 грн
230+61.59 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY sud09p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 32.1W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.99 грн
10+46.87 грн
25+42.96 грн
27+37.10 грн
72+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 67332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.50 грн
10+66.63 грн
50+49.64 грн
100+41.42 грн
500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Semiconductors sud09p10.pdf MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+110.60 грн
10+68.96 грн
100+39.72 грн
500+31.07 грн
1000+28.29 грн
2000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY 2050341.pdf Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 VISHAY VISH-S-A0001143830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+92.38 грн
187+78.69 грн
218+67.36 грн
230+61.59 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 32.1W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -15A
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.99 грн
10+46.87 грн
25+42.96 грн
27+37.10 грн
72+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 67332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.50 грн
10+66.63 грн
50+49.64 грн
100+41.42 грн
500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.60 грн
10+68.96 грн
100+39.72 грн
500+31.07 грн
1000+28.29 грн
2000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 2050341.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 32.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 VISH-S-A0001143830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD09P10-195-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.195 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 5112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.