SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 103.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD15N15-95-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.
Інші пропозиції SUD15N15-95-E3 за ціною від 84.05 грн до 344.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD15N15-95-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Power dissipation: 62W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUD15N15-95-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 5381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUD15N15-95-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1 |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUD15N15-95-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 62W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUD15N15-95-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET 39Y2385 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUD15N15-95-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.50 грн |
| 10+ | 162.16 грн |
| 11+ | 88.30 грн |
| 31+ | 84.05 грн |
| SUD15N15-95-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.47 грн |
| 10+ | 196.38 грн |
| 50+ | 152.67 грн |
| 100+ | 130.05 грн |
| 500+ | 110.83 грн |
| SUD15N15-95-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1
MOSFETs RECOMMENDED ALT SUD1
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.08 грн |
| 10+ | 182.56 грн |
| 100+ | 136.93 грн |
| 500+ | 117.37 грн |
| 2000+ | 98.56 грн |
| SUD15N15-95-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUD15N15-95-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET 39Y2385
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET 39Y2385
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)