Продукція > VISHAY > SUD19N20-90-E3
SUD19N20-90-E3

SUD19N20-90-E3 Vishay

71767.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD19N20-90-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SUD19N20-90-E3 за ціною від 77.36 грн до 259.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+111.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+135.05 грн
10+129.99 грн
25+128.70 грн
100+111.00 грн
250+99.67 грн
500+86.95 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : VISHAY 1866566.pdf Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.25 грн
500+122.61 грн
1000+96.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+145.44 грн
88+139.99 грн
89+138.60 грн
100+119.53 грн
250+107.34 грн
500+93.63 грн
1000+83.32 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.10 грн
10+134.72 грн
100+112.02 грн
500+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud19n20.pdf MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.86 грн
10+176.82 грн
100+136.10 грн
500+115.50 грн
1000+97.85 грн
2000+97.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : VISHAY 1866566.pdf Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.96 грн
10+198.07 грн
100+145.25 грн
500+122.61 грн
1000+96.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670
Додати до обраних Обраний товар

sud19n20.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC864671BBAC143&compId=SUD19N20-90.pdf?ci_sign=99d5b79c6c8857521eb19982280957a359adc5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC864671BBAC143&compId=SUD19N20-90.pdf?ci_sign=99d5b79c6c8857521eb19982280957a359adc5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.