Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SUD19N20-90-E3

SUD19N20-90-E3

sud19n20.pdf
Код товару: 154670
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUD19N20-90-E3 за ціною від 85.09 грн до 168.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+128.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.14 грн
10+132.40 грн
100+110.09 грн
500+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.22 грн
10+161.91 грн
25+160.31 грн
100+138.26 грн
250+124.15 грн
500+108.30 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay sud19n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.22 грн
88+161.91 грн
89+160.31 грн
100+138.26 грн
250+124.15 грн
500+108.30 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY VISH-S-A0009485313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Semiconductors sud19n20.pdf MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY 1866566.pdf Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+128.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.14 грн
10+132.40 грн
100+110.09 грн
500+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+168.22 грн
10+161.91 грн
25+160.31 грн
100+138.26 грн
250+124.15 грн
500+108.30 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.22 грн
88+161.91 грн
89+160.31 грн
100+138.26 грн
250+124.15 грн
500+108.30 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 VISH-S-A0009485313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD19N20-90-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 19A N-CH MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 1866566.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.