Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD19P06-60-BE3
SUD19P06-60-BE3

SUD19P06-60-BE3 Vishay Siliconix

sud19p06-60.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+66.52 грн
100+51.74 грн
500+41.16 грн
1000+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD19P06-60-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUD19P06-60-BE3 за ціною від 30.53 грн до 89.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD19P06-60-BE3 SUD19P06-60-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sud19p06-60.pdf MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+72.84 грн
100+49.36 грн
500+41.79 грн
1000+33.99 грн
2000+32.00 грн
4000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3 SUD19P06-60-BE3 Виробник : Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-BE3 SUD19P06-60-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.