Продукція > VISHAY > SUD19P06-60-E3
SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3 Vishay


sud19p06.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD19P06-60-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUD19P06-60-E3 за ціною від 28.19 грн до 82.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.9 грн
10+ 61.42 грн
100+ 47.78 грн
500+ 38.01 грн
1000+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud19p06-60.pdf MOSFET 60V 19A 38.5W
на замовлення 33029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.43 грн
10+ 67.27 грн
100+ 45.58 грн
500+ 38.59 грн
1000+ 31.39 грн
2000+ 29.55 грн
4000+ 28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848
sud19p06-60.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay sud19p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : VISHAY sud19p06-60.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.3A; Idm: -30A; 38.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 38.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Виробник : VISHAY sud19p06-60.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.3A; Idm: -30A; 38.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.3A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 38.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній