Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD19P06-60-GE3
SUD19P06-60-GE3

SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix

sud19p06-60.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.12 грн
4000+28.69 грн
6000+27.55 грн
10000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SUD19P06-60-GE3 за ціною від 31.52 грн до 114.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.85 грн
210+67.27 грн
256+55.15 грн
274+49.67 грн
500+45.89 грн
1000+39.11 грн
2000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 24587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+69.59 грн
100+46.60 грн
500+34.50 грн
1000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay Semiconductors sud19p06-60.pdf MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
на замовлення 16238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay sud19p06-60.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 VISHAY sud19p06-60.pdf Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 VISHAY VISH-S-A0009485307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 7672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+73.85 грн
210+67.27 грн
256+55.15 грн
274+49.67 грн
500+45.89 грн
1000+39.11 грн
2000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 24587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.18 грн
10+69.59 грн
100+46.60 грн
500+34.50 грн
1000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
на замовлення 16238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 VISH-S-A0009485307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD19P06-60-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 7672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.