на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 29.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD19P06-60-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUD19P06-60-GE3 за ціною від 28.69 грн до 79.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 7672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 44492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V |
на замовлення 16238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SUD19P06-60-GE3 | Виробник : VISHAY |
SUD19P06-60-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|