| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.55 грн |
| 10+ | 38.33 грн |
| 2000+ | 33.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD19P06-60L-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SUD19P06-60L-E3 за ціною від 32.34 грн до 140.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 21277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 |
|
на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |



