SUD19P06-60L-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 34.94 грн |
| 6000+ | 32.04 грн |
| 10000+ | 30.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD19P06-60L-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUD19P06-60L-E3 за ціною від 30.26 грн до 91.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
на замовлення 21426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 19A 46W 60mohm @ 10V |
на замовлення 47654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 |
|
на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SUD19P06-60L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 46W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUD19P06-60L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -19A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 46W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |